特許

J-GLOBAL ID：200903020368486139

集積型ハイブリッド薄膜光電変換装置

発明者： 多和田 裕子 ,  目黒 智巳
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-305809
公開番号（公開出願番号）：特開2002-118273
出願日： 2000年10月05日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：

【要約】【課題】 非晶質光電変換ユニットと結晶質光電変換ユニットとの間に光学的中間層を含む集積型ハイブリッド薄膜光電変換装置の出力特性を改善する。【解決手段】 集積型ハイブリッド薄膜光電変換装置は、透明絶縁基板1上に順次積層された透明電極層2、非晶質光電変換ユニット層3、部分的に光を反射しかつ透過する導電性の光学的中間層4、結晶質光電変換ユニット層5、および裏面電極層6が複数のハイブリッド光電変換セルを形成するように複数の分離溝2a,6aによって分離されていて、かつそれらの複数のセルは複数の接続用溝5aを介して互いに電気的に直列接続されており、非晶質ユニット層3は0.01〜0.5μmの範囲内の厚さを有し、結晶質ユニット層5は0.1〜10μmの範囲内の厚さを有し、光学的中間層4は10〜100nmの範囲内の厚さを有するとともに1×10-3〜1×10-1Ω・cmの範囲内の抵抗率を有している。

請求項（抜粋）：

透明絶縁基板上に順次積層された透明電極層、非晶質半導体光電変換ユニット層、部分的に光を反射しかつ透過する導電性の光学的中間層、結晶質半導体光電変換ユニット層、および裏面電極層が複数のハイブリッド光電変換セルを形成するように複数の分離溝によって分離されていて、かつそれらの複数のセルは複数の接続用溝を介して互いに電気的に直列接続されており、前記非晶質光電変換ユニット層は0.01〜0.5μmの範囲内の厚さを有し、前記結晶質光電変換ユニット層は0.1〜10μmの範囲内の厚さを有し、前記光学的中間層は10〜100nmの範囲内の厚さを有するとともに1×10-3〜1×10-1Ω・cmの範囲内の抵抗率を有することを特徴とする集積型ハイブリッド薄膜光電変換装置。

FI (2件)：

H01L 31/04 W ,  H01L 31/04 Y

Fターム (8件)：

5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051DA18 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051GA03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-237172
  
• 特開昭63-157482
  
• 集積化薄膜タンデム太陽電池とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-281730   出願人：鐘淵化学工業株式会社