特許
J-GLOBAL ID：200903020368556676
半導体レーザ装置
出願人/特許権者：
日本オプネクスト株式会社
日本オプネクスト株式会社 について
代理人 (2件)： 小川 勝男 , 田中 恭助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-365711
公開番号（公開出願番号）：特開2005-129824
出願日： 2003年10月27日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：
【課題】 電界吸収型変調器と半導体レーザ素子を組み合わせた光伝送装置は温度制御しなければ安定した光出力を得るに難点があった。 【解決手段】 電界吸収型変調器集積化レーザの後方側に、当該電界吸収型変調器とほぼ同一の光吸収の温度特性をもつ光吸収体を集積した光吸収体集積フォトダイオードを配置し、そのフォトダイオードの出力電流に応じてレーザ駆動電流を制御する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
半導体レーザ素子部と、
前記半導体レーザ素子部の光導波路に対向して配置された半導体電界吸収型変調器部と、
受光器部と、その受光器部の受光端に集積化して設けられた光吸収部材とを有する第1の光学部材と、を少なくとも有し、
前記半導体レーザ素子部の、前記半導体電界吸収型変調器部に対向する出力端とは反対側の出力端に、前記第1の光学部材がその光吸収部材側を対向して配置され、
前記光吸収部材の光吸収の温度特性が前記半導体電界吸収型変調器部の光吸収の温度特性に略等しく、
前記半導体レーザ素子部、および前記半導体電界吸収型変調器部、前記受光部を温度制御する機構を有せず、且つ
前記受光器部は、前記半導体レーザ素子部の前記光吸収部材側に出力する光出力を当該光吸収部材を介して受光し、当該受光器部は前記半導体レーザ素子部を駆動するに供する電気出力を出力することを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (22件)：
2H079AA02
, 2H079AA13
, 2H079BA01
, 2H079CA04
, 2H079EA07
, 2H079KA01
, 2H079KA11
, 2H079KA18
, 2H079KA19
, 5F073AA45
, 5F073AA64
, 5F073AA74
, 5F073AB13
, 5F073AB21
, 5F073AB27
, 5F073AB28
, 5F073AB30
, 5F073CA12
, 5F073EA15
, 5F073FA02
, 5F073GA02
, 5F073GA12
引用特許：
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