強誘電体薄膜の形成方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-343936
公開番号（公開出願番号）：特開2005-105394
出願日： 2003年10月02日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：

【課題】結晶粒のサイズが小さくて均一な良質の強誘電体薄膜を、MOCVD法を用いて短時間(高い成長速度)で成長することを可能にする。【解決手段】MOCVD法で強誘電体薄膜を成長する際、成長開始から膜厚10nmまでの成長初期の成長を0.05nm/sec以下の成長速度で行うか、又は、この少なくとも成長開始から膜厚10nmまでの成長過程において、成長開始から成長速度を徐々に高くする工程を含ませる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

強誘電体薄膜をMOCVD法で成長する際に、成長開始から膜厚10nmまでの成長速度を0.05nm/sec以下とすることを特徴とする強誘電体薄膜の形成方法。

IPC (7件)：

C23C16/46 , C23C16/40 , C23C16/52 , H01L21/316 , H01L27/105 , H01L41/18 , H01L41/24

FI (7件)：

C23C16/46 , C23C16/40 , C23C16/52 , H01L21/316 X , H01L27/10 444C , H01L41/22 A , H01L41/18 101Z

Fターム (33件)：

4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030BA01 , 4K030BA13 , 4K030BA18 , 4K030BA22 , 4K030BA42 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030JA12 , 4K030LA11 , 5F058BA01 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BD04 , 5F058BF06 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF36 , 5F058BJ02 , 5F058BJ04 , 5F058BJ10 , 5F083FR00 , 5F083GA27 , 5F083JA13 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083PR21

引用特許：

出願人引用 (1件)

強誘電体薄膜素子およびその製造方法、ならびにこれを用いたインクジェット記録ヘッド及びインクジェットプリンタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-221213 出願人：セイコーエプソン株式会社

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