特許
J-GLOBAL ID：200903066922563787

強誘電体薄膜素子およびその製造方法、ならびにこれを用いたインクジェット記録ヘッド及びインクジェットプリンタ

発明者：
村井 正己

村井 正己 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 稲葉 良幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-221213
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043642
出願日： 2000年07月21日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：
【要約】【課題】 強誘電体薄膜の配向性を適切に制御しつつ、鉛原子の下部電極への拡散および下部電極の酸化を防止して、特性の優れた強誘電体薄膜素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 上部電極44および下部電極42を備え、この間に強誘電体薄膜を備えてなる強誘電体薄膜素子100において、強誘電体薄膜43は、初期層431と後期層432とが積層されてなり、後期層432の結晶粒の平均粒径のほうが、初期層431の結晶粒の平均粒径よりも小さくなるように構成する。
請求項（抜粋）：
上部電極および下部電極を備え、この間に強誘電体薄膜を備えてなる強誘電体薄膜素子であって、前記強誘電体薄膜は、複数の層が積層されてなり、当該複数の層において、上部電極側の層の結晶粒の平均粒径のほうが、下部電極側の層の結晶粒の平均粒径よりも小さいことを特徴とする、強誘電体薄膜素子。
IPC (8件)：
H01L 41/09 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  B41J 2/16 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/22
FI (8件)：
H01L 41/08 C ,  B41J 3/04 103 A ,  B41J 3/04 103 H ,  H01L 27/04 C ,  H01L 41/08 L ,  H01L 41/08 U ,  H01L 41/18 101 D ,  H01L 41/22 Z
Fターム (15件)：
2C057AF65 ,  2C057AF93 ,  2C057AG42 ,  2C057AG44 ,  2C057AP02 ,  2C057AP14 ,  2C057AP57 ,  5F038AC05 ,  5F038AC14 ,  5F038AC16 ,  5F038AC17 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20
引用特許：
審査官引用 (9件)
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