セラミック配線基板とその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-092101
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286522
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】混成集積回路や半導体収容パッケージに使用されるセラミック配線基板に関して、厚膜抵抗体の抵抗値安定化を図った多層配線基板を提供する。【解決手段】セラミック質焼結体から成る絶縁基体1と、タングステン若しくはモリブデンを主成分とする表面配線導体層2とを有し、前記表面配線導体上に形成した銅メッキ電極層8と、該銅メッキ電極層上を含み且つ電極層間の間に基板上に皮膜形成された厚膜抵抗体5と、を含む配線基板であって、表面配線導体層の端部における基板表面から銅メッキ電極層の最高点までの高さを2〜15μmの範囲に規定する。特に、上記最高点位置における上記銅メッキ電極層の厚みが、2〜12μmであるセラミック多層配線基板をも含む。

請求項（抜粋）：

セラミック焼結体の絶縁層と、タングステン若しくはモリブデンを主成分とする表面配線導体層とを具備する配線基板であって、該基板が、上記表面配線導体層上に形成した銅被覆層と、該銅被覆層上に形成された厚膜抵抗体とを有し、上記表面配線導体層の端部における基板表面から銅被覆層の最高点までの高さが2〜15μmであり、且つ、該最高点位置における銅被覆層の厚みが2〜12μmであることを特徴とするセラミック配線基板。

IPC (4件)：

H05K 1/16 , H01L 23/13 , H05K 1/09 , H05K 3/46

FI (5件)：

H05K 1/16 C , H05K 1/09 B , H05K 3/46 Q , H05K 3/46 H , H01L 23/12 C

Fターム (46件)：

4E351AA07 , 4E351AA09 , 4E351BB01 , 4E351BB05 , 4E351BB31 , 4E351BB35 , 4E351BB49 , 4E351CC01 , 4E351CC06 , 4E351CC12 , 4E351CC22 , 4E351DD04 , 4E351DD17 , 4E351DD21 , 4E351DD31 , 4E351DD32 , 4E351DD35 , 4E351DD38 , 4E351EE01 , 4E351EE11 , 4E351EE24 , 4E351EE27 , 4E351GG09 , 5E346AA12 , 5E346AA14 , 5E346AA15 , 5E346AA35 , 5E346AA43 , 5E346BB01 , 5E346BB15 , 5E346BB16 , 5E346CC17 , 5E346CC32 , 5E346CC35 , 5E346CC36 , 5E346DD09 , 5E346DD22 , 5E346EE24 , 5E346FF18 , 5E346FF45 , 5E346GG04 , 5E346GG06 , 5E346GG09 , 5E346GG10 , 5E346HH21 , 5E346HH31

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭59-032194
配線基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-214298 出願人：京セラ株式会社
特開昭59-117189

全件表示

前のページに戻る