特許
J-GLOBAL ID：200903020430840556
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-234904
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060657
出願日： 1999年08月23日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：
【要約】【課題】 2つのチップを積層して搭載する半導体装置において、搭載可能なチップサイズの組み合わせの適用範囲を広くする。【解決手段】 第1のLSIチップ2の表面に厚い絶縁性樹脂8を設け、第2のLSIチップ6の裏面を、第1のLSIチップ3を接続するボンディングワイヤ5の最上部より高い位置にしているため、第2のLSIチップ6が第1のLSIチップ3に接続されたボンディングワイヤ5と接触することがない。そのため、2つのLSIチップ3,6のサイズの制約を少なくし、2つのLSIチップ3,6のサイズの組み合わせの適用範囲が広くできる。
請求項（抜粋）：
第1の半導体チップの上部に第2の半導体チップが搭載された半導体装置であって、前記第1の半導体チップの裏面を支持体の素子載置部に固着し、前記第1の半導体チップの表面の電極と前記支持体の電極部とを金属細線で接続し、前記第2の半導体チップの裏面を前記金属細線の最上部より高い位置で前記第1の半導体チップの表面に向かい合うように配置して前記第2の半導体チップの裏面と前記第1の半導体チップの表面との間を絶縁性接着剤で固着し、前記第2の半導体チップの表面の電極と前記支持体の電極部とを電気的に接続したことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 23/50
H01L 25/08 Z
, H01L 23/50 T
5F067AA01
, 5F067AB03
, 5F067BB08
, 5F067BD05
, 5F067BD10
, 5F067BE05
, 5F067BE06
, 5F067CB08
, 5F067CC03
, 5F067CC08
, 5F067DA05
, 5F067DF07
, 5F067DF09
, 5F067DF17
