半導体レーザーダイオード

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宇井正一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-274357
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106713
出願日： 1993年11月02日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】半導体レーザーダイオードの活性層の成分組成が均一であるため、電圧の印加時に活性層内の伝導帯と価電子帯の電位形態が変化して電子と正孔の分布が分離され、これによりレーザー発振を左右する光学利得が減少することを防止することである。【構成】半導体レーザーダイオードの活性層として、成分組成が変化される活性層を使用することにより、外部電圧が印加されても活性層の中心に電子と正孔が集中するようにする。

請求項（抜粋）：

二重異種接合構造を活性層として使用する半導体レーザーダイオードにおいて、電子と正孔の分布を活性層の中心に集中させるため、前記活性層を成分組成が変化される活性層で構成することを特徴とする半導体レーザーダイオード。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 29/06

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-174585
特開昭62-002684
ヘテロ構造半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-334514 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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