特許
J-GLOBAL ID：200903020433202054
窒化物半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-232400
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060314
出願日： 1999年03月23日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：
【要約】【課題】 光の閉じ込めを向上させることにより、垂直横モードが安定なGaN系半導体レーザを提供する。【解決手段】 基板上にn-Al0.07Ga0.93N第一クラッド層、活性層、p-Al0.07Ga0.93N第二クラッド層が積層されており、さらに、第一クラッド層と基板との間に第一クラッド層よりもAl組成の高い(または等しい)AlGaN層を形成することにより、活性層への光閉じ込めを向上させ、かつ、結晶へのクラック発生を抑制することができる。
請求項（抜粋）：
活性層と、該活性層を挟むクラッド層とを備えた窒化物半導体素子であって、該活性層と基板との間の第一のクラッド層がAlを含有しており、さらに該第一のクラッド層と基板との間に、該第一のクラッド層のAl組成と等しいか、あるいは該第一のクラッド層のAl組成より高いAlを含有する窒化物半導体層(ただし、バッファー層は除く)を有している窒化物半導体素子。
IPC (2件)：
H01S 5/323 610
, H01S 5/22
H01S 5/323 610
, H01S 5/22
5F073AA11
, 5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA51
, 5F073AA74
, 5F073AA89
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073DA05
, 5F073DA35
, 5F073EA18
