特許
J-GLOBAL ID：200903029192071457
n型窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-227679
公開番号（公開出願番号）：特開平8-070139
出願日： 1994年09月22日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：
【要約】【目的】 MOVPE、MBE法等の気相成長法により、格子整合していない基板の表面にn型窒化物半導体を成長させる際に、n型窒化物半導体層の格子欠陥を少なくして成長させる方法を提供することにより、n型窒化物半導体層の表面に成長させる他の窒化物半導体の結晶性を向上させて、発光素子、受光素子等の効率を向上させる。【構成】 n型窒化物半導体層3'成長中に、そのn型窒化物半導体層3'と組成の異なる第二のn型窒化物半導体層33(InaAlbGa1-a-bN、0≦a、0≦b、a+b≦1)を少なくとも一層以上成長させるか、またはn型窒化物半導体層3'を少なくとも5μm以上の膜厚で成長させる。
請求項（抜粋）：
気相成長法により基板表面に直接、またはバッファ層を介してn型窒化ガリウム系化合物半導体(InXAlYGa1-X-YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)の結晶を成長させる方法において、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層成長中に、そのn型窒化ガリウム系化合物半導体層と組成の異なる第二のn型窒化ガリウム系化合物半導体層(InaAlbGa1-a-bN、0≦a、0≦b、a+b≦1)を少なくとも一層以上成長させることを特徴とするn型窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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