特許

J-GLOBAL ID：200903020434453522

回路基板

発明者： 中野 紀男
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-274797
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106477
出願日： 1998年09月29日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：

【要約】【課題】 本発明は基体材料の自身のガラス成分を減少しても、高温放置等による基体と配線パターンとの接着力の低下を抑制することができる回路基板を提供するものである。【解決手段】 本発明によれば、セラミック基体1の表面及び又は内部に、Ag導体又はAgを主成分とする合金導体100重量部に対して、0.1〜20.0重量部のB2 O3 -SiO2 系ガラスと0.1〜5.0重量部のZnOを含有させた配線パターン2、3を形成した回路基板である。

請求項（抜粋）：

セラミック基板の表面及び又は内部に、Ag導体又はAgを主成分とする合金導体100重量部に対して、0.1〜20.0重量部のB2 O3 -SiO2 系ガラスと0.1〜5.0重量部のZnOを外部添加させた配線パターンを形成したことを特徴とする回路基板。

Fターム (19件)：

4E351AA07 ,  4E351AA13 ,  4E351BB01 ,  4E351BB14 ,  4E351BB31 ,  4E351BB35 ,  4E351BB49 ,  4E351CC12 ,  4E351CC22 ,  4E351DD05 ,  4E351DD08 ,  4E351DD28 ,  4E351DD31 ,  4E351DD43 ,  4E351DD47 ,  4E351DD52 ,  4E351EE01 ,  4E351GG01 ,  4E351GG07

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 導電被膜形成用組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-176001   出願人：住友金属鉱山株式会社