特許

J-GLOBAL ID：200903020477333016

表面実装用の2周波切替水晶発振器

発明者： 幕田 俊勝 ,  小俣 久 ,  ゲン・カントン
出願人/特許権者： 日本電波工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-072035
公開番号（公開出願番号）：特開2002-271196
出願日： 2001年03月14日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：

【要約】【目的】プログラマブルICチップを用いて2つの発振周波数を切り替えられて、小型化を維持した表面実装発振器を提供する。【構成】実装電極を有する表面実装容器に水晶片とICチップとを収容してなる表面実装用の水晶発振器において、前記ICチップは、前記水晶片とともに構成する発振回路と、前記発振回路による発振周波数を基準周波数として動作するところの電圧制御発振回路を有するPLL回路と、前記PLL回路の出力周波数をfo1又はfo2に設定する第1記憶回路と第2記憶回路とが集積化され、前記第1記憶回路と前記第2記憶回路とは前記実装電極の一つをアース電位に接地又は非接地とすることによって選択され、前記選択された第1記憶回路又は第2記憶回路による出力周波数fo1又はfo2を供給する構成とする。

請求項（抜粋）：

実装電極を有する表面実装容器に水晶片とICチップとを収容してなる表面実装用の水晶発振器において、前記ICチップは、前記水晶片とともに構成する発振回路と、前記発振回路による発振周波数を基準周波数として動作するところの電圧制御発振回路を有するPLL回路と、前記PLL回路の出力周波数をfo1又はfo2に設定する第1記憶回路と第2記憶回路とが集積化され、前記第1記憶回路と前記第2記憶回路とは前記実装電極のうちの一つの電位をハイレベル又はローレベルにすることによって選択され、前記選択された第1記憶回路又は第2記憶回路による出力周波数fo1又はfo2を供給することを特徴とする2周波切替水晶発振器。

IPC (3件)：

H03L 7/183 ,  H03B 5/32 ,  H03L 7/08

FI (3件)：

H03B 5/32 E ,  H03L 7/18 B ,  H03L 7/08 N

Fターム (27件)：

5J079AA04 ,  5J079BA44 ,  5J079FA01 ,  5J079FB35 ,  5J079FB39 ,  5J079FB40 ,  5J079FB48 ,  5J106AA01 ,  5J106AA04 ,  5J106CC01 ,  5J106CC15 ,  5J106CC21 ,  5J106CC41 ,  5J106CC52 ,  5J106DD08 ,  5J106DD33 ,  5J106FF06 ,  5J106FF07 ,  5J106FF08 ,  5J106GG09 ,  5J106KK38 ,  5J106LL09 ,  5J106PP03 ,  5J106RR14 ,  5J106RR18 ,  5J106RR20 ,  5J106SS07

引用特許：

審査官引用 (2件)

• PLL発振器及び圧電発振器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-094022   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 圧電発振器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-004008   出願人：セイコーエプソン株式会社