レジストパターン縮小化材料及びそれを使用する微細レジストパターンの形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩見谷周志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-098586
公開番号（公開出願番号）：特開2001-281886
出願日： 2000年03月31日
公開日（公表日）： 2001年10月10日
要約：

【要約】【課題】露光波長の限界を超える微細パターンの形成が可能なレジストパターン縮小化材料及びそれを使用する微細レジストパターンの形成方法を提供する。【解決手段】(a)ポジ型化学増幅レジストを用いて形成されたレジストパターン上に、水溶性樹脂を含有する酸性のレジストパターン縮小化材料を塗布して前記レジストパターン縮小化材料からなる酸性被膜を形成する段階;(b)前記レジストパターンの表面層をアルカリ可溶性に転換する段階;並びに(c)その後、こうして処理されたレジストパターンを酸性被膜と共にアルカリ性溶液で処理し、該被膜及び前記アルカリ可溶性に転換されたレジストパターン表面層を除去して、前記レジストパターンを縮小する段階を含む微細レジストパターンの形成方法。

請求項（抜粋）：

水溶性樹脂を含有し、酸性であるレジストパターン縮小化材料。

IPC (3件)：

G03F 7/40 511 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/40 511 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 570

Fターム (29件)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB43 , 2H025CB45 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 2H025FA29 , 2H025FA33 , 2H025FA41 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096EA03 , 2H096EA05 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 2H096HA01 , 2H096HA02 , 2H096HA05 , 2H096HA11 , 2H096JA04 , 5F046AA28

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置の製造方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-062047 出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (1件)

半導体装置の製造方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-062047 出願人：三菱電機株式会社

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