半導体装置の製造方法及び半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-062047
公開番号（公開出願番号）：特開2000-035672
出願日： 1999年03月09日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：

【要約】【課題】半導体デバイスの製造工程において、ステッパーの光源波長以下の微細なレジストパターンを安定して形成する。【解決手段】半導体基板の上に酸触媒化学増幅ポジ型レジストを用いてレジストパターンを形成し、この上に酸性成分或いは塩基性成分を含有する有機膜を形成する。これを加熱処理して酸を拡散させ、レジストパターンの表面層をアルカリ現像液に可溶化し、この表面層をアルカリ現像液により除去することにより、微細なレジストパターンを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上に酸触媒化学増幅ポジ型レジストを用いてレジストパターンを形成する工程と、上記レジストパターンを含む上記半導体基板の表面に酸性成分を含有する有機膜を形成する工程と、上記有機膜を熱処理して上記レジストパターンの表面層をアルカリ現像液に可溶化させる工程と、上記熱処理後の有機膜と上記レジストパターンの表面層とをアルカリ現像液により除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

G03F 7/11 501 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/11 501 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R , H01L 21/30 569 F

引用特許：

審査官引用 (8件)

レジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-040552 出願人：沖電気工業株式会社
レジストパターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-214415 出願人：沖電気工業株式会社
デバイスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-233764 出願人：アメリカンテレフオンアンドテレグラフカムパニー

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