特許
J-GLOBAL ID：200903020491067221
超接合半導体素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-237286
公開番号（公開出願番号）：特開2001-111041
出願日： 1999年08月24日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：
【要約】【課題】オン状態では電流を流すとともに、オフ状態では空乏化する並列pn層からなるドリフト層を備えた超接合半導体素子において、パラメータの影響を明らかにし、量産化を容易にする。【解決手段】nドリフト領域12aの不純物量がp仕切り領域12bの不純物量の100〜150%の範囲内または110〜150%の範囲内とする。あるいはnドリフト領域12aおよびp仕切り領域12bの一方の不純物濃度を他方の不純物濃度の92〜108%の範囲とする。また、一方の幅を他方の幅の94〜106%の範囲とする。
請求項（抜粋）：
第一と第二の主面と、主面に設けられた二つの主電極と、その主電極間に、オン状態では電流を流すとともにオフ状態では空乏化する第一導電型ドリフト領域と第二導電型仕切り領域とを交互に配置した並列pn層を備える超接合半導体素子において、第一導電型ドリフト領域の不純物量が第二導電型仕切り領域の不純物量の100〜150%の範囲内にあることを特徴とする超接合半導体素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 652 H
, H01L 29/78 652 C
, H01L 29/91 D
