高電圧MOSFET構造

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏原三枝子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-318826
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233759
出願日： 1998年11月10日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】オン抵抗が低い高電圧MOSFETを提供する。【解決手段】オン抵抗が低い高電圧MOSFETと高電圧MOSFETの特別なデバイスのブレークダウン電圧に対するオン抵抗を下げる方法。MOSFETは第1導電型のブロッキング層を具え、このブロッキング層は第2の導電型の縦型セクションを有している。または、ブロッキング層は、第1及び第2の導電型のセクションを交互に配置したものであっても良い。

請求項（抜粋）：

電圧支持領域を持つ半導体装置であって、水平層を具え、当該水平層が第1の導電型であって、ほぼ縦方向に延在する第2導電型セクションを具え、これらのセクションがほぼ同じ大きさを有し、好ましくはこのセクションが柱状であることを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

パワーMOSFET
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-076503 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-004918 出願人：富士電機株式会社

前のページに戻る