特許
J-GLOBAL ID：200903020556139853
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-234296
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121375
出願日： 1989年08月31日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：
【要約】【課題】 紫外光の照射により多結晶半導体薄膜の熱処理を行う際のエネルギー効率の向上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 ガラス基板などの基板1上に多結晶Si薄膜4を形成し、その上に反射防止膜としてSiO2 膜5を形成した後、このSiO2 膜5を介して多結晶Si薄膜4にエキシマーレーザーなどによる紫外域のパルスレーザービーム6を照射して多結晶Si薄膜4を熱処理する。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に多結晶半導体薄膜を形成する工程と、上記多結晶半導体薄膜上に、紫外光に対して透過性を有するとともに、表面に紫外光を照射したときの反射率を低減する反射防止膜を形成する工程と、上記反射防止膜を介して上記多結晶半導体薄膜に紫外光を照射する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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