レジスト膜の形成方法およびレジスト塗布装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-026020
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294503
出願日： 2000年02月03日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】基板上形成されたレジスト膜の膜厚の変動によっても、現像後の回路パターンの線幅が変動しにくいレジスト膜の形成方法およびレジスト塗布装置を提供すること。【解決手段】カップ内に収容されたウエハWの表面上に、レジスト液を吐出してレジスト膜を形成するに際し、予め、レジスト膜の膜厚と、レジスト膜を所定パターンに露光した後現像した際の回路パターンの線幅との関係を求めておき、その関係から、指定領域の線幅のうちレジスト膜厚の変動に対して線幅の変動が少ない線幅を選択し、その線幅に対応する膜厚になるようにレジスト膜を形成する。

請求項（抜粋）：

処理容器内に収容された基板の表面上に、レジスト液を吐出してレジスト膜を形成するレジスト膜の形成方法であって、予め、レジスト膜の膜厚と、レジスト膜を所定パターンに露光した後現像した際の回路パターンの線幅との関係を求めておき、その関係から、指定領域の線幅のうちレジスト膜厚の変動に対して線幅の変動が少ない線幅を選択し、その線幅に対応する膜厚になるようにレジスト膜を形成することを特徴とするレジスト膜の形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/027 , B05C 11/00 , B05C 11/08 , B05D 3/00 , G03F 7/16 502 , G03F 7/26 501

FI (6件)：

H01L 21/30 564 D , B05C 11/00 , B05C 11/08 , B05D 3/00 F , G03F 7/16 502 , G03F 7/26 501

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平4-035018
レジスト塗布方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-050257 出願人：宮城沖電気株式会社, 沖電気工業株式会社
特開昭61-285716

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