特許

J-GLOBAL ID：200903020593806355

プラズマCVD法によるアモルファスシリコン系堆積膜の形成方法

発明者： 藤岡 靖 ,  酒井 明 ,  岡部 正太郎 ,  幸田 勇蔵 ,  芳里 直 ,  矢島 孝博 ,  澤山 忠志 ,  金井 正博
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-242396
公開番号（公開出願番号）：特開平10-088358
出願日： 1996年09月12日
公開日（公表日）： 1998年04月07日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、プラズマCVD法における高速成膜時の微粒子発生を抑制することにより、発生した微粒子が堆積膜に取り込まれて欠陥を生じたり、膜質が低下することを低減できる、プラズマCVD法によるアモルファスシリコン系堆積膜の形成方法を提供する。その結果、大面積にわたって欠陥が少なく、高品質で優れた均一性を有するアモルファスシリコン系堆積膜が、高い成膜速度で形成することが可能となる。【解決手段】 本発明のプラズマCVD法によるアモルファスシリコン系堆積膜の形成方法は、少なくともSi元素を含有する原料ガスを真空容器内に導入しつつ、前記真空容器内に設けた放電電極にデューティー比60%以上の振幅変調を施した高周波電力を供給し、かつ、前記放電電極と堆積膜を形成する前記基板との間に、前記基板側が負の向きの直流電圧を印加することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

少なくともSi元素を含有する原料ガスを真空容器内に導入しつつ、前記真空容器内に設けた放電電極にデューティー比60%以上の振幅変調を施した高周波電力を供給し、かつ、前記放電電極と堆積膜を形成する前記基板との間に、前記基板側が負の向きの直流電圧を印加することを特徴とするプラズマCVD法によるアモルファスシリコン系堆積膜の形成方法。

IPC (4件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/24 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/24 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 V

引用特許：

審査官引用 (4件)

• プラズマCVDによるa-Si:H膜の成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-080391   出願人：日本真空技術株式会社
• プラズマCVD法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-272715   出願人：日新電機株式会社
• プラズマCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-253775   出願人：日新電機株式会社
• プラズマCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-253776   出願人：日新電機株式会社