プラズマCVDによるa-Si:H膜の成膜方法

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北村欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-080391
公開番号（公開出願番号）：特開平7-166358
出願日： 1994年04月19日
公開日（公表日）： 1995年06月27日
要約：

【要約】【目的】粉の発生を抑制して平滑で良質なa-Si:H膜を迅速に形成する方法を提案する。【構成】ガス導入系2と排気系3が接続された真空槽1内に2個以上の電極4、5を設け、その一方の電極に高周波電源6から高周波電力を供給し、他方の電極上に基板7を搭載し、該ガス導入系から真空槽内に導入したSiH4 又はSi2 H6 の反応ガスをこれらの電極間に発生させたプラズマにより分解して加熱した該基板にa-Si:H膜を形成する方法に於いて、該高周波電力を該基板に1000オングストローム/min 以上の平均成膜速度でa-Si:H膜を成膜するように調整し、該高周波電力をパルス変調しながらa-Si:H膜を成膜する。【効果】反応ガスの分解で発生したSiH2 ラジカルやクラスターが電力の停止時に排出され、或いは消滅し、粉の発生が抑制されて膜表面の平滑な膜を高速で成膜できる。

請求項（抜粋）：

ガス導入系と排気系が接続された真空槽内に2個以上の電極を設け、その一方の電極に高周波電源から高周波電力を供給し、他方の電極上に基板を搭載し、該ガス導入系から真空槽内へ導入したSiH4 又はSi2 H6 の反応ガスをこれら電極間に発生させたプラズマにより分解して加熱した該基板にa-Si:H膜を形成する方法に於いて、該高周波電力を1000オングストローム/min 以上の平均成膜速度でa-Si:H膜を成膜するように調整し、該高周波電力をパルス変調しながらa-Si:H膜を成膜することを特徴とするプラズマCVDによるa-Si:H膜の成膜方法。

IPC (2件)：

C23C 16/50 , C23C 16/24

引用特許：

出願人引用 (3件)

プラズマCVD法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-211126 出願人：日新電機株式会社
特開平2-038570
プラズマ気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-225992 出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (3件)

プラズマCVD法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-211126 出願人：日新電機株式会社
特開平2-038570
プラズマ気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-225992 出願人：松下電器産業株式会社

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