特許
J-GLOBAL ID：200903020594846083

電力が節約されている読み出しおよびプログラム-ベリファイ動作による不揮発性メモリおよび方法

発明者：
リ,ヤン

リ,ヤン について

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リー,スーンピル

リー,スーンピル について

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チャン,シウ ラン

チャン,シウ ラン について


出願人/特許権者：
サンディスク コーポレイション

サンディスク コーポレイション について


代理人 (1件)： 井ノ口 壽
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-501855
公開番号（公開出願番号）：特表2008-533644
出願日： 2005年05月10日
公開日（公表日）： 2008年08月21日
要約：
複数の読み出し/書き込み回路で並列に多数のメモリセルの読み出しと書き込みが可能な不揮発性メモリデバイスは、読み出しおよびプログラム-ベリファイ動作中の電力消費を低減する特徴を有する。読み出しまたはプログラム-ベリファイ動作は、記憶状態を決定するために1つ以上の区分しきい値電圧に関して1つ以上の検知サイクルを含む。一態様において、並列に検知されている群中の選択的なメモリセルは、それらが電流検知サイクルに関係のない状態であると決定されたとき、その伝導電流を停止する。他の態様において、期間を延長させるであろうあらゆる動作を先制して開始することによって、電力消費期間が最小化される。プログラム-ベリファイ動作において、プログラムすべきでないセルはプログラミング段階でそのビット線を充電する。電力はこれらの一組のビット線がプログラミング段階の各実行で再充電を避けるときに節約される。
請求項（抜粋）：
各メモリセルが複数の記憶状態の1つに相当する電流伝導しきい値電圧にプログラム可能である不揮発性メモリセルのアレイにおいて、メモリセル群を並列に検知する方法であって、 (a)記憶状態間を区分するための区分しきい値電圧の系列を上昇順序で供給するステップと、 (b)系列中の区分しきい値電圧を選択して、それに関して検知が行われるステップと、 (c)前記選択された区分しきい値電圧よりも低いしきい値電圧を有することが知られた群中のメモリセルの伝導電流を停止するステップと、 (d)選択された区分しきい値電圧に関してメモリセル群を検知するステップと、 (e)系列中の次の区分しきい値電圧を選択して系列の終りに達するまで(b)から(d)を繰り返すステップと、 を含む方法。
IPC (3件)：
G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  G11C 16/06
FI (8件)：
G11C17/00 611A ,  G11C17/00 641 ,  G11C17/00 611G ,  G11C17/00 622E ,  G11C17/00 633C ,  G11C17/00 634B ,  G11C17/00 612F ,  G11C17/00 613
Fターム (17件)：
5B125BA01 ,  5B125BA19 ,  5B125CA02 ,  5B125CA25 ,  5B125DA03 ,  5B125DA09 ,  5B125DB02 ,  5B125DB08 ,  5B125DB19 ,  5B125DC03 ,  5B125EA05 ,  5B125EA09 ,  5B125EC05 ,  5B125ED09 ,  5B125EF10 ,  5B125FA01 ,  5B125FA02
引用特許：
出願人引用 (22件)
  • 米国特許第5,595,924号
  • 米国特許第5,903,495号
  • 米国特許第6,046,935号
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審査官引用 (3件)

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