特許
J-GLOBAL ID：200903024707789672
不揮発性半導体記憶装置および読出し方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-346521
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233096
出願日： 1997年12月16日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：
【要約】【課題】 従来提案されている4値メモリにおいては、2ビットの情報を得るのにワード線の電位を変えて3回の読み出しを行なう必要がある。そのため、単純に考えても読出し時間が2値メモリの1.5倍になってしまうとともに、読出し時の消費電流も1.5倍に増加してしまうという問題点がある。【解決手段】 複数のしきい値を設定して1つのメモリセルに多値の情報を記憶させるようにした不揮発性半導体記憶装置において、ワード線読出しレベルを低い方から高い方へと変えながら順次読出しを行なって行くとともに、読出されたデータを保持するラッチ手段を設けてその保持データに基づいて次のビット線プリチャージを選択的に行なうようにした。
請求項（抜粋）：
複数のワード線、複数のデータ線、コントロールゲート及びフローティングゲートをそれぞれ有し複数のビットのデータをしきい値として格納する複数のメモリセル、上記複数のメモリセルの各々は対応する1本のワード線及び1本のデータ線に結合され、上記複数のワード線に結合され、選択されたワード線に結合されたメモリセルに格納された複数ビットのデータを読み出すための読み出し動作において、上記選択されたワード線に読み出し電圧を複数回供給するワードドライバ回路、上記読み出し動作において、一番低いしきい値に対応するデータから一番高いしきい値に対応するデータまで低い方から順番にデータを読み出すために、上記選択されたワード線は、最初に第1読み出し電圧が供給され、上記第1読み出し電圧よりも高い読み出し電圧が順番に供給される不揮発性半導体記憶装置の読み出し方法。
IPC (6件)：
G11C 16/02
, G11C 16/06
, H01L 27/115
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 17/00 641
, G11C 17/00 633 B
, G11C 17/00 634 B
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
