特許
J-GLOBAL ID：200903020623222736

電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者：
原田 健史

原田 健史 について

, 
小森 一徳

小森 一徳 について

, 
七井 識成

七井 識成 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-171321
公開番号（公開出願番号）：特開2006-041487
出願日： 2005年06月10日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：
【課題】オン電流が増大し、オン・オフ比が大きくなり、かつ、ソース電極とドレイン電極との間でショートが発生しにくい電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】ソース電極14、ドレイン電極16、ゲート電極12、及び有機物を含有する半導体15を備えた電界効果トランジスタであって、半導体15が第1の導電率を有する第1の層151と、第2の導電率を有する第2の層152とを含み、第1の層151がソース電極14及びドレイン電極16から選ばれる少なくとも一方の電極と電気的に接触しており、前記第1の導電率が、前記第2の導電率より高い電界効果トランジスタとする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、及び有機物を含有する半導体を備えた電界効果トランジスタであって、 前記半導体は、第1の導電率を有する第1の層と、第2の導電率を有する第2の層とを含み、 前記第1の層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極から選ばれる少なくとも一方の電極と電気的に接触しており、 前記第1の導電率は、前記第2の導電率より高いことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 51/05
FI (4件)：
H01L29/78 618F ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/28
Fターム (42件)：
5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110AA14 ,  5F110CC02 ,  5F110CC04 ,  5F110CC06 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG54 ,  5F110GG55 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110QQ11
引用特許：
出願人引用 (2件)

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