パターン形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：武田元敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-049359
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267990
出願日： 1993年03月10日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】高性能GaAsMESFETに必要とされる200〜300nmのゲート長のゲート電極とリセス構造を従来より精度よく形成し、これにより、従来よりさらに高性能、高品質のGaAsMESFETを供給する。【構成】基板31の上にポジ型の第1のレジスト膜32を形成し、次に、その上に第2のレジスト膜33を形成し、第2のレジスト膜に開口部34を形成した後、全面に光35を照射して第1のレジスト膜を露光、現像し、開口部34の下にそれより大きい開口部36を形成する。ここで第2のレジスト膜33は、照射された光を透過させると共に、その透過した光と開口部34を通過した光との間に150°〜210°の位相差を生じさせる膜厚とし、その位相差によって開口部34の端縁付近の光強度を略0にする。これにより、現像速度を遅くして高精度を得る。

請求項（抜粋）：

基板の上にポジ型の第1のレジスト膜を形成した後、該第1のレジスト膜の上に第2のレジスト膜を形成し、前記第2のレジスト膜の一部を選択的に除去して開口部を形成する工程と、前記第2のレジスト膜の上から基板の全面に光を照射して前記第1のレジスト膜を露光した後、現像する工程とを有し、前記第1のレジスト膜における前記第2のレジスト膜の開口部の下にその開口部より大きい開口部を形成する方法であって、前記第2のレジスト膜は、前記照射された光を透過させると共に、その光の位相を150°〜210°の範囲で変化させる膜厚を有し、さらに、前記第1のレジスト膜の現像後もその第1のレジスト膜の上に前記第2のレジスト膜が存在することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/28 , H01L 21/027 , H01L 21/306

FI (3件)：

H01L 29/80 F , H01L 21/30 361 V , H01L 21/30 361 S

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-111422
特開平3-259257
特開平4-263417

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