液晶表示装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-205238
公開番号（公開出願番号）：特開2004-070331
出願日： 2003年08月01日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：

【目的】TFT基板製作時の工程数を削減できると同時に製造歩留まりが高く、さらに明るい画面が得られる液晶表示装置およびその製造方法を提供すること。【構成】透明ガラス基板上で少なくとも、チャネル長方向において、透明画素電極の下部のソース金属電極の端部が、半導体層の端部から延在して形成され、さらにデータライン下部に遮光電極、ゲートライン自身を遮光電極とする構成とするようにした。【効果】製造工程数の削減、歩留まりの向上、明るい画面が可能である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に第1の導電膜で走査信号線とを形成する第1の工程と、前記基板と前記走査信号線との上に第1の絶縁膜を形成する第2の工程と、前記第1の絶縁膜の上に、ホト処理を用いずにi型半導体膜と不純物が添加された半導体膜とを形成する第3の工程と、前記不純物が添加された半導体膜の上に第2の導電膜を形成する第4の工程と、前記第2の導電膜を除去した後に前記不純物が添加された半導体膜とを除去し、ソース電極とドレイン電極と映像信号線とを形成する第5の工程と、前記第1の絶縁膜と前記ソース電極と前記ドレイン電極と前記映像信号線との上に第2の絶縁膜を形成する第6の工程と、前記第2の絶縁膜にコンタクトホールを形成する第7の工程と、前記第2の絶縁膜上に、前記コンタクトホールを介して、前記ソース電極に接続された透明電極を形成する第8の工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

IPC (3件)：

G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L29/786

FI (3件)：

G02F1/1368 , H01L29/78 612C , H01L29/78 612D

Fターム (56件)：

2H092GA40 , 2H092JA26 , 2H092JA28 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JA46 , 2H092JB01 , 2H092JB22 , 2H092JB31 , 2H092JB51 , 2H092JB56 , 2H092KA05 , 2H092KA18 , 2H092MA13 , 2H092MA18 , 2H092NA29 , 5F110AA16 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE37 , 5F110EE44 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG35 , 5F110GG45 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK25 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110HL07 , 5F110HL23 , 5F110NN02 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN42 , 5F110NN44 , 5F110NN45 , 5F110NN46 , 5F110NN54 , 5F110NN73 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (12件)

薄膜トランジスタマトリクス装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-348260 出願人：富士通株式会社
特開昭62-131578
特開平4-267344

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