特許
J-GLOBAL ID：200903020657654295
光電変換装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-196646
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064793
出願日： 1994年08月22日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】 注入阻止層を設けることなくSN比を高く、低コストを図る。【構成】 第一電極層102、第一導電型及び第二導電型のキャリアの通過を阻止する第一絶縁層107、光電変換半導体層104、第一導電型及び第二導電型のキャリアの通過を阻止する第二絶縁層117、第二電極層105,106を積層した光電変換素子100と、ゲート電極層202、第三絶縁層203、半導体層204、オーミックコンタクト層205、一対の第一及び第二主電極層206,207を積層したスイッチ素子200と、光電変換素子100の第一もしくは第二電極層と前記スイッチ素子200の第一主電極層とを電気的に結ぶ配線層406と、を同一基板1上に有する。
請求項（抜粋）：
第一の電極層、第一導電型のキャリアおよび該第一導電型と異なる第二導電型のキャリアの通過を阻止する第一の絶縁層、光電変換半導体層、前記第一導電型のキャリアおよび前記第二導電型のキャリアの通過を阻止する第二の絶縁層、および第二の電極層を積層した光電変換素子と、ゲート電極層、第三の絶縁層、半導体層、この半導体層のチャネル領域となる部分を隔てた一対の第一および第二の主電極層、およびこれらの主電極層と前記半導体層との間にオーミックコンタクト層を積層したスイッチ素子と、前記光電変換素子の前記第一もしくは第二の電極層と前記スイッチ素子の第一の主電極層とを電気的に結ぶ配線層と、を同一基板上に有する光電変換装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/14 C
, H01L 31/10 A
