特許
J-GLOBAL ID:200903045269342411
光電変換装置及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山下 穣平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-355327
公開番号(公開出願番号):特開平6-188400
出願日: 1992年12月21日
公開日(公表日): 1994年07月08日
要約:
【要約】【目的】 製造工程を簡略化し、製造工程の歩留まりを向上し、材料の効率的利用とあいまって低コストで、安価な光電変換装置を提供する。【構成】 少なくともMIS型フォトダイオード10とスイッチ素子11とを同一基板上に具備する光電変換装置であって、MIS型フォトダイオード10とスイッチ素子11との半導体層を同一工程で堆積される同一半導体材料で構成した。
請求項(抜粋):
少なくともMIS型フォトダイオードとスイッチ素子とを同一基板上に具備する光電変換装置であって、前記MIS型フォトダイオードと前記スイッチ素子との半導体層を同一工程で堆積される同一半導体材料で構成したことを特徴とする光電変換装置。
IPC (4件):
H01L 27/146
, H01L 31/108
, H01L 31/10
, H04N 1/028
FI (3件):
H01L 27/14 C
, H01L 31/10 C
, H01L 31/10 E
引用特許:
審査官引用 (6件)
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特開昭62-209862
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特開平1-119060
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特開昭64-050558
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特開昭62-002671
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半導体装置とその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-221874
出願人:株式会社日立製作所
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-244167
出願人:富士ゼロツクス株式会社
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