特許
J-GLOBAL ID:200903020674562680

半導体デバイスおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 渡辺 望稔 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-016855
公開番号(公開出願番号):特開2002-307695
出願日: 2002年01月25日
公開日(公表日): 2002年10月23日
要約:
【要約】【課題】製造時の加工処理により、半導体チップ上に集積回路として形成された素子が電気的に破壊されるのを防止することができる構造を備えた半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも2つの半導体チップが形成される半導体ウェハの各々の半導体チップ上にインク吐出手段を駆動する駆動回路を構成する集積回路を形成し、集積回路の上層の少なくとも一部を被覆し、この集積回路からその半導体チップの端部まで形成され、なおかつ、半導体チップ間の領域を介して互いに接続された金属膜を形成すると共に、この金属膜により半導体ウェハの周縁部で半導体チップ以外の領域に、金属膜に接続された接地用パッドを形成し、この接地用パッドを介して金属膜を接地しながら、加工工程を行うことにより、上記課題を解決する。
請求項(抜粋):
インクジェットプリンタの記録ヘッドとして形成される半導体チップの状態の半導体デバイスであって、前記半導体チップは、少なくとも、インク吐出手段と、このインク吐出手段を駆動する駆動回路を構成する集積回路と、ボンディングパッドと、前記集積回路の上層の少なくとも一部を被覆する金属膜とを備え、前記金属膜は、前記集積回路から前記半導体チップの端部まで形成されていることを特徴とする半導体デバイス。
IPC (4件):
B41J 2/16 ,  B41J 2/05 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/3213
FI (4件):
B41J 3/04 103 H ,  B41J 3/04 103 B ,  H01L 21/88 C ,  H01L 21/88 T
Fターム (34件):
2C057AF93 ,  2C057AG46 ,  2C057AG82 ,  2C057AG83 ,  2C057AG90 ,  2C057AG92 ,  2C057AK07 ,  2C057AP02 ,  2C057AP32 ,  2C057AP51 ,  2C057AP90 ,  2C057AQ02 ,  2C057BA13 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH13 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH30 ,  5F033HH35 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ76 ,  5F033RR03 ,  5F033RR22 ,  5F033SS04 ,  5F033VV05 ,  5F033VV07
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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