特許
J-GLOBAL ID：200903020679982199
電荷発生装置及び帯電装置及び画像形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
樺山 亨 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-178518
公開番号（公開出願番号）：特開2001-357961
出願日： 2000年06月14日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：
【要約】【課題】 オゾン及びNOX 等の放電生成物の発生を低減することができる電荷発生装置及びその電荷発生装置を用いて被帯電物を帯電する帯電装置を提供する。【解決手段】 本発明の電荷発生装置(帯電装置)においては、絶縁体2上に形成された電極3と、電極上に形成された半導体層4と、半導体層上に形成され薄い絶縁層に覆われた多孔質半導体層5と、多孔質半導体層上に形成され大気圧と連接する気体に満たされた空間10に面する1〜50nmの厚さを有する金属薄膜を一部とする導電体で構成されるもう一方の電極6とにより形成された半導体冷電子放出素子1を用い、半導体冷電子放出素子1の表面からの電子放出を利用して被帯電物7の帯電を行うので、帯電によるオゾン、NOX 等の放電生成物がほとんど発生せず、従来装置に比べてオゾン、NOX 等の放電生成物の低減を図ることができる。
請求項（抜粋）：
絶縁体上に形成された電極と、前記電極上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成され薄い絶縁層に覆われた多孔質半導体層と、前記多孔質半導体層上に形成され大気圧と連接する気体に満たされた空間に面する1〜50nmの厚さを有する金属薄膜を一部とする導電体で構成されるもう一方の電極とにより形成された半導体冷電子放出素子を用い、前記半導体冷電子放出素子から放出される電子により被帯電物を帯電させることを特徴とする電荷発生装置。
IPC (3件)：
H01T 23/00
, B41J 2/415
, G03G 15/02 101
H01T 23/00
, G03G 15/02 101
, B41J 3/18 101
2C162AE21
, 2C162AE29
, 2C162AE47
, 2H003AA18
, 2H003BB11
, 2H003CC08
