特許

J-GLOBAL ID：200903020680181353

2次電子放出顕微鏡検査のための装置及び方法

発明者： アドラー,デイヴィッド エイ ,  ウォーカー,デイヴィッド ジェイ ,  バビアン,フレッド ,  ウルフ,トラヴィス
出願人/特許権者： ケイエルエイ-テンコー コーポレイション
代理人 (1件)： 伊東 忠彦 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-519454
公開番号（公開出願番号）：特表2001-522054
出願日： 1998年10月26日
公開日（公表日）： 2001年11月13日
要約：

【要約】電子ビームを用いて特に半導体装置であるがこれに限られない試料(S)の表面を検査するための装置及び方法が提供される。かかる技術は2次電子放出顕微鏡(SEEM)と称され、走査電子顕微鏡及び低エネルギー電子顕微鏡(LEEM)技術の両方に対して大きな利点を有する。特に、SEEM技術は並列マルチピクセル撮像に適したビーム幅を有する比較的高エネルギーの1次電子(11)のビームを用いる。電子のエネルギーは、従来のSEMによる速度よりも高速な撮像を達成し、LEEMによる電荷中性を達成するために、電荷安定状態に近い。

請求項（抜粋）：

特性エネルギー値を有する材料の試料を準備する段階と、 並列マルチピクセル撮像に適した幅を有する電子ビームを上記試料に入射するように方向付ける段階と、 上記試料の安定した静電荷バランスを維持する段階とを含む、 対象を検査するために電子ビームを使用する方法。

IPC (3件)：

G01N 23/225 ,  H01J 37/28 ,  H01L 21/66

FI (4件)：

G01N 23/225 ,  H01J 37/28 B ,  H01L 21/66 J ,  H01L 21/66 N

Fターム (35件)：

2G001AA03 ,  2G001AA09 ,  2G001BA07 ,  2G001CA03 ,  2G001GA01 ,  2G001GA06 ,  2G001GA12 ,  2G001HA13 ,  2G001JA02 ,  2G001JA03 ,  2G001JA15 ,  2G001KA03 ,  2G001LA01 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001RA04 ,  2G001SA02 ,  2G001SA12 ,  4M106AA02 ,  4M106BA02 ,  4M106CA38 ,  4M106DB00 ,  4M106DB04 ,  4M106DB05 ,  4M106DB12 ,  4M106DB18 ,  4M106DB30 ,  5C033NN01 ,  5C033NN02 ,  5C033NP01 ,  5C033NP05 ,  5C033NP06 ,  5C033UU02 ,  5C033UU03 ,  5C033UU04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-015144
  
• ウェーハパターンの欠陥検出方法及び同装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-041346   出願人：株式会社東芝
• 特開平3-269248
  

引用文献：

審査官引用 (3件)

• “Outline of a versatile corrected LEEM”
• “Electron optical analysis of a retarding Wien filter for electron spectroscopic imaging”
• “Photoyield spectromicroscopy of silicon surfaces using monochromatic synchrotron radiation”