固体撮像素子及びその製造方法

発明者： , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：角田芳末 , 磯山弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-060328
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273640
出願日： 2003年03月06日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

【課題】ノイズ特性及び読み出し特性をバランスよく向上することにより、良好なノイズ特性及び読み出し特性を有する固体撮像素子を提供する。【解決手段】画素を構成する受光センサ部11の一側に、信号電荷を読み出すための電極8が設けられ、撮像領域の受光センサ部11以外を覆って形成された遮光膜9に所定の電圧信号Vを印加するように構成され、受光センサ部11の光電変換領域を構成する第1導電型の半導体領域2の表面の中央部に第2導電型の半導体領域6が形成され、第1導電型の半導体領域2の表面の電極8側の端部及びその反対側の画素分離領域3側の端部に第2導電型の半導体領域6よりも不純物濃度の低い領域10(10A,10B)が形成されている固体撮像素子を構成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

画素を構成する受光センサ部の一側に、前記受光センサ部から信号電荷を読み出すための電極が設けられ、撮像領域の前記受光センサ部以外を覆って遮光膜が形成され、前記遮光膜に所定の電圧信号を印加するように構成され、前記受光センサ部の光電変換領域を構成する第1導電型の半導体領域の表面の中央部に、第2導電型の半導体領域が形成され、前記第1導電型の半導体領域の表面の、前記電極側の端部及びその反対側の画素分離領域側の端部に、前記第2導電型の半導体領域よりも不純物濃度の低い領域が形成されていることを特徴とする固体撮像素子。

IPC (3件)：

H01L27/148 , H01L27/146 , H04N5/335

FI (3件)：

H01L27/14 B , H04N5/335 F , H01L27/14 A

Fターム (19件)：

4M118AA03 , 4M118AA05 , 4M118AB01 , 4M118BA10 , 4M118BA14 , 4M118CA04 , 4M118DA18 , 4M118EA03 , 4M118EA06 , 4M118FA06 , 4M118FA26 , 4M118GB06 , 4M118GB15 , 4M118GC07 , 4M118GD04 , 5C024CX03 , 5C024CY47 , 5C024GX01 , 5C024GY01

引用特許：

審査官引用 (4件)

固体撮像素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-396981 出願人：ソニー株式会社
固体撮像素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-237918 出願人：ソニー株式会社
固体撮像装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-094920 出願人：株式会社東芝

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