特許

J-GLOBAL ID：200903020687852660

ビス-t-ブトキシカルボニルメチルチモールフタレイン、その合成方法並びにそれを含有するレジスト材料

発明者： 八木橋 不二夫 ,  渡辺 淳 ,  高見沢 稔 ,  田中 啓順
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社 ,  日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 滝田 清暉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-287449
公開番号（公開出願番号）：特開平7-138249
出願日： 1993年10月21日
公開日（公表日）： 1995年05月30日
要約：

【要約】【目的】 従来にない高感度、高解像性及び優れたプロセス適性を有する高エネルギー線用ポジ型レジスト材料を提供すること。【構成】 新規な化合物であるビス-t-ブトキシカルボニルチモールフタレイン及びその製造方法、並びに、ポリ(ヒドロキシスチレン)樹脂a、溶解阻害剤b及びオニウム塩cを、夫々重量分率で0.55≦a、0.07≦b≦0.40、0.005≦c≦0.15並びにa+b+c=1となるように含有すると共に、アルカリ水溶液で現像することが可能な、高エネルギー線に感応するポジ型レジスト材料であって、前記溶解阻害剤bが下記化1で表される、ビスt-ブトキシカルボニルメチルチモールフタレインであることを特徴とするポジ型レジスト材料。【化1】

請求項（抜粋）：

下記化1で表される、ビス-t-ブトキシカルボニルメチルチモールフタレイン。【化1】

IPC (4件)：

C07D307/88 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-296754
  
• パターン形成用レジストおよびパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-100310   出願人：株式会社東芝