特許

J-GLOBAL ID：200903020692148106

半導体製造装置

発明者： 椎名 一成
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-003227
公開番号（公開出願番号）：特開平8-191050
出願日： 1995年01月12日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：

【要約】【目的】 本発明は半導体製造過程で基板の加熱を行う場合に使用される半導体製造装置に関し、基板の大口径化に伴う高品質化、安全性向上を図ることを目的とする。【構成】 サセプタ23で保持された基板22が反応室24内に位置され、加熱部25が保持された保持部26が反応室25と密閉一体に設けられる。そして、加熱部25の端子25aが外部に導出されて冷却される構成とする。

請求項（抜粋）：

半導体製造における所定の基板を加熱して所定の処理を行わせる半導体製造装置において、前記基板が位置され、所定の反応ガスが供給、排気される反応室と、該反応室内の基板を加熱する加熱部と、該反応室を封止し、該加熱部を該反応室内で保持する保持部と、を有することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/22 501 ,  H01L 21/26

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ガス処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-352053   出願人：株式会社日立製作所, 日立電子エンジニアリング株式会社
• 薄膜形成用基板加熱装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-058525   出願人：富士電機株式会社
• 光学式化学蒸着システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-005784   出願人：アムテック・システムズ・インコーポレーテッド