高速回転気相薄膜形成装置及びそれを用いる高速回転気相薄膜形成方法

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出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：木下茂 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-240331
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067675
出願日： 1997年08月21日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】高品質が要求される半導体ウエハ基板の製造工程のCVDやエピタキシャル工程に適用される反応ガス流を均等に制御して汚染物発生の少ない高速回転気相薄膜形成装置の提供し、それを用いることによりCVDやエピタキシャル等により膜厚均一で、且つ、面内特性が均質な結晶欠陥が少ない薄膜を形成する。【解決手段】中空の反応炉の頂部に複数の反応ガス供給口、底部に排気口、内部にウエハ基板を載置する回転基板保持体、及び、内部上部に複数の孔が穿設された整流板を有し、内部に反応ガスを供給して回転基板保持体上のウエハ基板表面に薄膜を気相成長させる気相薄膜形成装置において、前記反応炉の中空内部が、相当内径が異なる上下部に区分され、上部の相当内径が下部の相当内径より小さく、且つ、上部下端と下部上端とが所定の形状の連結部により接続され中空内部が連続しており、連結部下端(下部上端)が前記回転基板保持体上に載置される前記ウエハ基板表面と所定の高低差を有する位置に配設されることを特徴とする高速回転気相薄膜形成装置。

請求項（抜粋）：

中空の反応炉の頂部に複数の反応ガス供給口、底部に排気口、内部にウエハ基板を載置する回転基板保持体、及び、内部上部に複数の孔が穿設された整流板を有し、内部に反応ガスを供給して回転基板保持体上のウエハ基板表面に薄膜を気相成長させる気相薄膜形成装置において、前記反応炉の中空内部が、中心軸を同じくし相当内径が異なる円筒状上下部に区分され、上部の相当内径が下部の相当内径より小さく、且つ、上部下端と下部上端とが連結部により接続され中空内部が連続しており、連結部下端(下部上端)が前記回転基板保持体上に載置される前記ウエハ基板表面と所定の高低差を有する位置に配設されることを特徴とする高速回転気相薄膜形成装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 , C30B 25/14

FI (5件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 D , C23C 16/44 G , C23C 16/44 J , C30B 25/14

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭61-111521
半導体化学気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-091722 出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
気相成長装置及び気相成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-354382 出願人：東芝セラミックス株式会社, 東芝機械株式会社

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