光起電力装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鳥居洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-075839
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274527
出願日： 1998年03月24日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】この発明は、バンドギャップのワイド化と光劣化のない微結晶シリコンを光発電層に用いた光起電力装置を提供することを目的とする。【解決手段】この発明は、微結晶シリコンと非晶質シリコンが混在する半導体層をi型層4とする光起電力装置において、i型層4の全部または少なくとも光入射側ドープ層と接する領域に窒素元素を含有する。

請求項（抜粋）：

微結晶シリコンと非晶質シリコンが混在する半導体層を光発電層とする光起電力装置において、光発電層の全部または少なくとも光入射側ドープ層と接する領域に窒素元素が含有されていることを特徴とする光起電力装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体薄膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-163574 出願人：三井東圧化学株式会社
光電変換素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-029112 出願人：三井東圧化学株式会社

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