特許

J-GLOBAL ID：200903020746073123

液晶表示装置とその製造方法

発明者： 川崎 清弘
出願人/特許権者： 廣輝電子股▲ふん▼有限公司
代理人 (1件)： クオンタ・ディスプレイ・ジャパン株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-336706
公開番号（公開出願番号）：特開2005-106881
出願日： 2003年09月29日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：

【課題】 従来の製造工程数を削減した製造方法ではチャネル長が短くなると製造裕度(マージン)が小さく歩留が低下する。【解決手段】 先ずエッチストップ層の形成を行い、次に走査線の形成工程とコンタクトの形成工程をハーフトーン露光技術の導入により合理化する新規技術と、公知技術であるソース・ドレイン配線の陽極酸化工程にハーフトーン露光技術を導入することで電極端子の保護層形成工程を合理化する新規技術と、公知技術である絵素電極と走査線を同時に形成する合理化技術との技術の組合せによるTN型液晶表示装置とIPS型液晶表示装置の4枚マスク・プロセス、3枚マスク・プロセス案を構築する。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第1の透明性絶縁基板と、前記第1の透明性絶縁基板と対向する第2の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、 少なくとも第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の第1の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、 前記走査線上に1層以上のゲート絶縁層が形成され、 ゲート電極上のゲート絶縁層上に不純物を含まない第1の半導体層が島状に形成され、 前記第1の半導体層上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、 前記保護絶縁層の一部上と第1の半導体層上に一対の不純物を含む第2の半導体層が形成され、 画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて走査線の一部が露出し、 前記第2の半導体層上と第1の透明性絶縁基板上に耐熱金属層を含んで1層以上の陽極酸化可能な金属層よりなるソース(信号線)・ドレイン配線と、前記開口部と開口部周辺の第1と第2の半導体層を含んで同じく走査線の電極端子が形成され、 前記ドレイン配線の一部上と第1の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、画像表示部外の領域で信号線上に透明導電性の電極端子が形成され、 前記ドレイン配線の絵素電極と重なった領域と信号線の電極端子領域を除いてソース・ドレイン配線の表面に陽極酸化層が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。

IPC (4件)：

G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  G09F9/35 ,  H01L21/3205

FI (4件)：

G02F1/1368 ,  G09F9/30 338 ,  G09F9/35 ,  H01L21/88 B

Fターム (61件)：

2H092GA11 ,  2H092GA31 ,  2H092GA40 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092MA08 ,  2H092MA24 ,  2H092MA35 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092PA01 ,  2H092PA06 ,  2H092PA08 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094CA24 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094EA04 ,  5C094FB02 ,  5C094GB10 ,  5F033GG04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH10 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH22 ,  5F033HH25 ,  5F033HH29 ,  5F033HH30 ,  5F033HH38 ,  5F033LL09 ,  5F033MM05 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ89 ,  5F033RR03 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR27 ,  5F033SS15 ,  5F033SS26 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033XX18 ,  5F033XX33

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-208424   出願人：松下電器産業株式会社