特許

J-GLOBAL ID：200903020758685566

半導体装置およびその製造方法

発明者： 中山 秀生 ,  乙間 広己 ,  植木 伸明 ,  山本 将央
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-206120
公開番号（公開出願番号）：特開平10-051075
出願日： 1996年08月05日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【課題】 長寿命かつ高精度で信頼性の高い半導体装置を提供する。またさらに、マトリックス駆動型面発光半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 導電性の半導体基板1と、この導電性の半導体基板の表面に、AlGaAs層またはAlAs層の酸化によって形成された酸化膜3を介して形成された、化合物半導体層を素子領域4とする半導体素子とを具備したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

導電性の半導体基板と、この導電性の半導体基板の表面に、AlGaAs層またはAlAs層の酸化による酸化膜を介して形成された、化合物半導体層を素子領域とする半導体素子とを具備したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (4件)

• カラー半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-083512   出願人：シャープ株式会社
• 高効率の縦型空洞表面放出レーザ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-123340   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
• 特開昭60-211912
  
• 特開昭60-211912