特許

J-GLOBAL ID：200903020769467110

配線形成方法

発明者： 加藤 和利 ,  池田 睦夫 ,  高畑 清人 ,  村本 好史
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 高山 敏夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-326444
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148437
出願日： 1995年11月20日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【目的】 半導体素子において、頑強な配線層を形成すること。【構成】 メサ構造を有する半導体素子に、絶縁性と粘性を有する物質を塗布し、その後該物質を固化する工程と、該固化した物質の一部で、該メサ構造の縁を覆う部分に懸かる配線層を形成する工程と、該メサ構造の一部で、該配線構造で覆われていない部分の上に塗布された該物質を除去する工程と、該物質を除去した該メサ構造の表面から、該配線層に至る電極を形成する工程とを具備するメサ構造を有する半導体素子の配線形成方法。

請求項（抜粋）：

次の工程?@ メサ構造を有する半導体素子に、絶縁性と粘性を有する物質を塗布し、その後該物質を固化する工程と?A 該固化した物質の一部で、該メサ構造の縁を覆う部分に懸かる配線層を形成する工程と?B 該メサ構造の一部で、該配線構造で覆われていない部分の上に塗布された該物質を除去する工程と?C 該物質を除去した該メサ構造の表面から、該配線層に至る電極を形成する工程とを具備することを特徴とするメサ構造を有する半導体素子の配線形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 29/41 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 29/44 G ,  H01L 31/10 H

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-245650
  
• 特開昭61-088542
  
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-045991   出願人：光計測技術開発株式会社