発光ダイオード

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：竹本松司 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-128077
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017220
出願日： 1998年04月23日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】発光効率の高い発光ダイオードの提供。【解決手段】第1電極上に形成された基板と、該基板の上に順に形成された第1クラッド層、活性層、第2導電型を有する第2クラッド層、電気抵抗が該第2クラッド層のものより小さいウインドウ層、該ウインドウ層の上の形成されてオームコンタクトを提供する第2導電型のコンタクト層とされて該コンタクト層の上端から該コンタクト層の底部まで延伸され該ウインドウ層の表面まで貫通する凹んだ領域が設けられているもの、該コンタクト層の上に形成された導電透光酸化層とされて該コンタクト層内に位置する該凹んだ領域を充満し、電気抵抗が該ウインドウ層と該コンタクト層の電気抵抗より小さいもの、第2電極とされて該導電透光酸化層の一部の表面上に形成され、その大きさと位置が該コンタクト層内の該凹んだ領域に対応するもの、以上を包括する。

請求項（抜粋）：

第1電極上に形成された基板と、該基板の上に形成された第1導電型を有する第1クラッド層と、該第1クラッド層の上に形成された活性層と、該活性層の上に形成された第2導電型を有する第2クラッド層と、該第2クラッド層の上に形成されてその電気抵抗が該第2クラッド層の電気抵抗より小さいウインドウ層と、該ウインドウ層の上に形成されてオーミックコンタクト(ohmic contact)を提供するのに用いられる第2導電型を有するコンタクト層とされて、該コンタクト層の上端から該コンタクト層の底部まで延伸され該ウインドウ層の表面まで貫通する凹んだ領域が設けられているものと、該コンタクト層の上に形成された導電透光酸化層とされ、該コンタクト層内に位置する該凹んだ領域を充満し、電気抵抗が該ウインドウ層と該コンタクト層の電気抵抗より小さいものと、第2電極とされ、該導電透光酸化層の一部の表面上に形成され、その大きさと位置が該コンタクト層内の該凹んだ領域に対応するもの、以上を少なくとも包括して構成された、発光ダイオード。

FI (2件)：

H01L 33/00 B , H01L 33/00 E

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体発光素子とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-280332 出願人：ローム株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-280692 出願人：昭和電工株式会社
特開平3-291985

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