特許

J-GLOBAL ID：200903020782497525

フッ化カルシウム結晶の製造方法

発明者： 長谷川 雄 ,  杉崎 秀憲 ,  木村 和生
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (2件)： 渡辺 隆男 ,  大澤 圭司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-160420
公開番号（公開出願番号）：特開2007-051013
出願日： 2004年05月31日
公開日（公表日）： 2007年03月01日
要約：

【課題】ArFエキシマレーザー光学系用またはF2レーザー光学系用光学部材として好適な、該レーザー波長において透過率の高いフッ化カルシウム単結晶、または該単結晶製造用前処理品としてのフッ化カルシウム結晶を安定して製造する。 【解決手段】フッ化カルシウムをルツボに充填する工程と、該ルツボを加熱して前記フッ化カルシウムを融解する工程と、融解されたフッ化カルシウムを冷却して結晶化させる工程とを有するフッ化カルシウム結晶の製造方法において、前記ルツボに充填する際におけるフッ化カルシウムのBET比表面積を3m2/g以下とする。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

フッ化カルシウムをルツボに充填する工程と、該ルツボを加熱して前記フッ化カルシウムを融解する工程と、融解されたフッ化カルシウムを冷却して結晶化させる工程とを有するフッ化カルシウム結晶の製造方法であって、前記ルツボに充填する際におけるフッ化カルシウムのBET比表面積が3m2/g以下であるフッ化カルシウム結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 19/12 ,  C30B 11/00

FI (2件)：

C30B19/12 ,  C30B11/00 Z

Fターム (7件)：

4G077AA02 ,  4G077BE02 ,  4G077CD02 ,  4G077EC02 ,  4G077HA01 ,  4G077MB04 ,  4G077MB08

引用特許：

出願人引用 (1件)

• フッ化カルシウム単結晶の製造方法、フッ化カルシウム単結晶
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-346206   出願人：株式会社ニコン