特許

J-GLOBAL ID：200903020789490313

水素感知用酸化スズ薄膜センサおよびその製造方法

発明者： 高 錫 勤 ,  丁 炯 鎭 ,  宋 錫 均 ,  崔 源 國 ,  尹 英 秀 ,  趙 俊 植 ,  崔 東 洙 ,  全 鎭 錫
出願人/特許権者： 韓国ガス公社
代理人 (1件)： 津国 肇 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-344102
公開番号（公開出願番号）：特開平9-196879
出願日： 1996年12月24日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】 水素に対する高い感度、選択性および再現性を有し、かつ大量生産に適する、薄膜型の水素感知用センサ、およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板、該基板上に形成された絶縁膜、該絶縁膜上に所定の間隔を隔てて形成された下部電極、ならびに該下部電極および前記絶縁膜上に形成された酸化スズ薄膜を含むことを特徴とする水素感知用酸化スズ薄膜センサ;半導体基板、該基板上に形成された絶縁膜、該絶縁膜上に形成された酸化スズ薄膜、および該酸化スズ薄膜上に所定の間隔を隔てて形成された上部電極を含むことを特徴とする水素感知用酸化スズ薄膜センサ;およびそれらの製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板、該基板状に存在する絶縁膜、該絶縁膜上に所定の間隔を隔てて存在する下部電極、ならびに該下部電極および前記絶縁膜上に存在する酸化スズ薄膜を含むことを特徴とする水素感知用酸化スズ薄膜センサ。

FI (2件)：

G01N 27/12 B ,  G01N 27/12 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-191954
  
• 特開昭63-008548
  
• 特開昭61-155848
  
• 薄膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-121915   出願人：三菱電機株式会社