特許
J-GLOBAL ID:200903020795652546
絶縁物作製用スパッタリング装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
北村 欣一 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-114221
公開番号(公開出願番号):特開2001-295043
出願日: 2000年04月14日
公開日(公表日): 2001年10月26日
要約:
【要約】【課題】絶縁物を作製するスパッタリング装置の明確な保守時期が知れ、製品不良を発生させない装置を提供する。【解決手段】真空排気された成膜室1内に、基板4とカソード電極3及び絶縁物形成用ターゲット6を設け、該ターゲットからスパッタされた粒子を該基板に堆積させて絶縁膜等の絶縁物を作製する装置に於いて、該成膜室内に、その室内のプラズマ発生状況をモニタする電極12を設けた。該電極は電離計イオンコレクタで構成し、該成膜室の内壁と該防着板との間の空間に設けた。
請求項(抜粋):
真空排気された成膜室内に、基板とカソード電極及び絶縁物形成用ターゲットを設け、該ターゲットからスパッタされた粒子を該基板に堆積させて絶縁膜等の絶縁物を作製する装置に於いて、該成膜室内に、その室内のプラズマ発生状況をモニタする電極を設けたことを特徴とする絶縁物作製用スパッタリング装置。
IPC (3件):
C23C 14/34
, B01J 19/08
, H05H 1/46
FI (3件):
C23C 14/34 U
, B01J 19/08 H
, H05H 1/46 M
Fターム (17件):
4G075AA24
, 4G075BC02
, 4G075CA47
, 4G075CA65
, 4G075DA02
, 4G075EA01
, 4G075EB01
, 4G075EB41
, 4G075EC09
, 4G075EC21
, 4G075FB01
, 4G075FC15
, 4K029BA44
, 4K029BC05
, 4K029CA06
, 4K029DA10
, 4K029EA06
引用特許: