特許

J-GLOBAL ID：200903020796423400

SOI基板の製造方法

発明者： 須藤 充 ,  中井 哲弥 ,  冨澤 憲治
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-323462
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134724
出願日： 2000年10月24日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】 SOI層中の貫通転位と、SOI層と埋込み酸化層の界面のSOI層中に発生する界面欠陥とを低減し得る。埋込み酸化層表面のラフネスを向上し得る。【解決手段】 単結晶シリコン基板中に高濃度の酸素イオンを注入し、酸素イオンを注入した単結晶シリコン基板をアルゴンと酸素の混合ガス雰囲気下、1300〜1420°Cで10〜35時間保持する高温アニール処理を施してシリコンと酸素を反応させてシリコン基板内部に埋込み酸化層を形成するSOI基板の製造方法である。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコン基板中に高濃度の酸素イオンを注入し、前記酸素イオンを注入した単結晶シリコン基板を高温アニール処理してシリコンと酸素を反応させてシリコン基板内部に埋込み酸化層を形成するSOI基板の製造方法において、高温アニール処理をアルゴンと酸素の混合ガス雰囲気下、1300〜1420°Cで10〜35時間保持することを特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/762

FI (2件)：

H01L 27/12 E ,  H01L 21/76 D

Fターム (4件)：

5F032AA91 ,  5F032DA53 ,  5F032DA60 ,  5F032DA74

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体基板とその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-183326   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体基板及び半導体基板の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-156442   出願人：キヤノン株式会社
• SOI 基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-234415   出願人：日本電信電話株式会社