特許

J-GLOBAL ID：200903020824410204

成膜装置

発明者： 三上 瞬 ,  清水 秀行 ,  兼重 敏男 ,  渡辺 照男 ,  西村 則雄
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社 ,  双葉電子工業株式会社
代理人 (1件)： 石島 茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-102492
公開番号（公開出願番号）：特開2000-297360
出願日： 1999年04月09日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：

【要約】【課題】成膜装置に関し、特に、大判のガラス基板上でも、短時間で所定膜厚の薄膜を蒸着させることが可能な真空蒸着装置に関する。【解決手段】真空槽2内には、基板ホルダー4と、第1、第2の蒸発源31、32とが設けられており、第1の蒸発源31は、基板ホルダー4に対し、第2の蒸発源32よりも近い位置に配置されている。第1の蒸発源31で斜め方向に蒸着材料を入射させ、第2の蒸発源32で垂直方向に蒸着材料を入射させて薄膜を成膜する場合には、第1の蒸発源31が、第2の蒸発源32より基板ホルダーに対して近い分、第1の蒸発源31で成膜する際の成膜速度が大きくなるので、成膜に要する時間を短縮することができ、蒸着装置の生産性が向上する。

請求項（抜粋）：

真空槽と、前記真空槽内に設けられ、揺動可能に構成された基板ホルダーと、前記基板ホルダーに対し、所定距離に配置された第1の成膜源と、前記基板ホルダーに対し、前記第1の成膜源よりも遠い位置に配置された第2の成膜源とを有することを特徴とする成膜装置。

IPC (2件)：

C23C 14/24 ,  H01J 9/02

FI (2件)：

C23C 14/24 J ,  H01J 9/02 B

Fターム (6件)：

4K029BD00 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029CA15 ,  4K029DB14 ,  4K029JA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• リフトオフ用Al蒸着膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-313481   出願人：日本真空技術株式会社

審査官引用 (1件)

• リフトオフ用Al蒸着膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-313481   出願人：日本真空技術株式会社