光半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-034204
公開番号（公開出願番号）：特開2003-234493
出願日： 2002年02月12日
公開日（公表日）： 2003年08月22日
要約：

【要約】【課題】ホトトランジスタ(1)のベース層(3)とコレクタ層(2)との間の接合の容量をより小さくし、高速動作を可能にする。【解決手段】エミッタ層(4)がその上部に形成されたベース層(3)とコレクタ電極(7)とを真性ないしは半絶縁性の半導体基板(2)上に形成し、ベース層(3)とコレクタ電極間(7)の基板(2)を、エミッタおよびコレクタ間に所定の電圧が印加された動作状態下において、空乏領域化させる。さらに、ベース層と(3)エミッタ(4)層とを互いに重ね合わせ、コレクタ部上において積層構造とすることよって、ベース層の面積をエミッタ層の面積と同等となるよう縮小する。

請求項（抜粋）：

真性半導体または半絶縁性半導体により構成されるコレクタ層と、前記コレクタ層の第1の主面の一部に、第2の主面を接するごとく形成された第1の導電型を有するベース層と、前記ベース層の第1の主面に、第2の主面を接するごとく形成された形成された第2の導電型を有するエミッタ層と、前記コレクタ層の第1の主面の一部に該ベース層とは間隔をおいて形成されたコレクタ電極と、前記エミッタ層の第1の主面上に形成されたエミッタ電極を有することを特徴とするホトトランジスタ。

Fターム (8件)：

5F049MA12 , 5F049MA13 , 5F049MB07 , 5F049NA03 , 5F049QA10 , 5F049SE05 , 5F049SS04 , 5F049SZ03

引用特許：

審査官引用 (5件)

フォトトランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-146004 出願人：日本電信電話株式会社
特開平2-220478
特開昭61-079268

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