化合物半導体デバイスの形成方法及び化合物半導体デバイス

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大垣孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-149164
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332562
出願日： 2000年05月22日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：

【要約】【課題】 InP系化合物半導体デバイス中のp型半導体層のコンタクト抵抗を低くし、かつ、安定したコンタクト抵抗の半導体デバイスを供給する。【解決手段】 InP系化合物半導体デバイス中のp型半導体層と接触するコンタクト電極をAu/AuZnとする。その場合、p型半導体層のキャリア濃度Naが1.0×1020cm-3>Na≧5.0×1018cm-3の範囲内の値となるp+-InGaAs層として形成する。化合物半導体デバイスをヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタとするとき、所要の動作周波数及び又は受光感度にあわせて、そのキャリア濃度Naを1.0×1020cm-3>Na≧5.0×1018cm-3の範囲内の値、1.0×1020cm-3>Na≧1.0×1019cm-3の範囲内の値、或いは、1.0×1019cm-3>Na≧5.0×1018cm-3の範囲内の値とすることが出来る。

請求項（抜粋）：

p型半導体層と、コンタクト電極とを具えるInP系化合物半導体デバイスの形成方法において、前記p型半導体層を、当該p型半導体層のキャリア濃度Naが1.0×1020cm-3>Na≧5.0×1018cm-3の範囲内の値となるp+-InGaAs層として形成し、しかる後、前記コンタクト電極をAu/AuZnで、前記p型半導体層と接触させて、形成することを特徴とする化合物半導体デバイスの形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 21/28 , H01L 21/28 301 , H01L 31/10

FI (5件)：

H01L 21/28 G , H01L 21/28 301 G , H01L 29/72 , H01L 31/10 A , H01L 31/10 H

Fターム (29件)：

4M104AA04 , 4M104BB09 , 4M104BB15 , 4M104CC01 , 4M104DD03 , 4M104DD36 , 4M104DD68 , 4M104DD79 , 4M104FF03 , 4M104FF17 , 4M104FF32 , 4M104GG05 , 4M104GG06 , 4M104HH15 , 5F003BA11 , 5F003BA92 , 5F003BB05 , 5F003BF06 , 5F003BH08 , 5F003BM02 , 5F049MA12 , 5F049MA13 , 5F049MB07 , 5F049NA01 , 5F049NA03 , 5F049PA08 , 5F049PA15 , 5F049PA18 , 5F049QA09

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平1-194469
バイポーラトランジスタの作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-211474 出願人：日本電信電話株式会社
特開平3-138947

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