半導体発光装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-187648
公開番号（公開出願番号）：特開2000-244060
出願日： 1999年07月01日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】部品点数を減らして光学系の構成を簡素化可能な発光波長の異なる複数個の半導体発光素子を有する半導体発光装置とその製造方法を提供する。【解決手段】基板30と、基板に形成され、少なくとも第1導電型クラッド層(32,37)、活性層(33,38)および第2導電型クラッド層(34,39)を積層させたエピタキシャル成長層である少なくとも2個の積層体(ST1,ST2)とを有し、各積層体が空間的に互いに分離されており、少なくとも各活性層(33、38)の組成が各積層体間で互いに異なり、各活性層から基板と平行なほぼ同一の方向にそれぞれ波長の異なる複数の光を出射する構成とする。

請求項（抜粋）：

基板に複数個の半導体発光素子を有する半導体発光装置であって、基板と、前記基板に形成され、少なくとも第1導電型クラッド層、活性層および第2導電型クラッド層を積層させたエピタキシャル成長層である少なくとも2個の積層体とを有し、前記各積層体が空間的に互いに分離されており、少なくとも前記各活性層の組成が前記各積層体間で互いに異なり、前記各活性層から前記基板と平行な同一の方向にそれぞれ波長の異なる複数の光を出射する半導体発光装置。

Fターム (4件)：

5F073AA04 , 5F073AA11 , 5F073AB06 , 5F073BA05

引用特許：

審査官引用 (1件)

レーザダイオードアレイ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-293489 出願人：ゼロックスコーポレイション

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