特許

J-GLOBAL ID：200903020852462902

半導体記憶装置およびフラットパネル表示装置

発明者： 鄭 寶容 ,  朴 鎔盛 ,  尹 漢熙
出願人/特許権者： 三星エスディアイ株式会社
代理人 (2件)： 亀谷 美明 ,  金本 哲男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-176803
公開番号（公開出願番号）：特開2005-122873
出願日： 2004年06月15日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：

【課題】 データが容易に書き込みできる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 二つのインバータがチェーン形態で接続されるラッチ回路を有するSRAMセルを含む半導体記憶装置が提供される。各インバータは電源にトランジスタ(S4,S5)を通じて接続され,SRAMセルにデータを書き込む時,上記トランジスタを遮断する。その結果,SRAMセルにデータを書き込む時,ラッチ回路の保持能力が弱くなって,データの衝突がなされることなく容易にデータをSRAMセルに書き込むことができる。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

出力端が第1ノードに接続される第1インバータと; 出力端が第2ノードに接続される第2インバータと; 第1データを伝達するためのビット線と前記第1ノードとの間に接続される第1スイッチと; 前記第1データのレベルを反転した第2データを伝達するための反転ビット線と前記第2ノードとの間に接続される第2スイッチと; 前記第1インバータと第1レベルの電圧を供給する第1電源との間,および,前記第2インバータと前記第1電源との間に接続される少なくとも一つの第3スイッチと; を含み, 前記第1インバータの入力端が前記第2ノードに接続され,前記第2インバータの入力端が前記第1ノードに接続されることを特徴とする,半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C11/412 ,  G09G3/20

FI (4件)：

G11C11/40 301 ,  G09G3/20 622B ,  G09G3/20 623A ,  G09G3/20 631A

Fターム (15件)：

5B015HH03 ,  5B015JJ23 ,  5B015JJ24 ,  5B015KA06 ,  5B015KA23 ,  5B015PP08 ,  5C080BB05 ,  5C080CC03 ,  5C080DD09 ,  5C080EE29 ,  5C080FF11 ,  5C080GG15 ,  5C080JJ02 ,  5C080JJ03 ,  5C080JJ04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-345992
  
• 特開昭58-122693
  
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-194075   出願人：川崎製鉄株式会社
• 特開昭56-034189