半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高矢諭 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-194075
公開番号（公開出願番号）：特開平8-063972
出願日： 1994年08月18日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】読み出しアクセス時のビット線駆動能力を維持しながら、書き込みアクセス時のデータ書き込みの容易化を図る。【構成】メモリセルMijには、電源線側制御回路12及び接地線側制御回路14を経て電源が供給される。書き込みアクセス時には、書き込み読み出し制御信号W/Rに従って、前記電源線側制御回路12及び前記接地線側制御回路14にて、前記メモリMijに供給される電源を抑制することで、記憶するビットデータの保持特性を抑え、データ書き込みの容易化を図る。これ以外のときには、ビットデータの保持特性が抑えられず、読み出しアクセス時のビット線駆動能力が維持される。

請求項（抜粋）：

各ワードアドレスのメモリセルに対応して設けられている複数本のワード線のうちの1本を、当該半導体記憶装置の外部から入力されるアドレス信号に従って選択し、選択されたそのワード線をアクティブ状態とし、これによって該ワード線に対応するメモリセルをビット線対へと接続状態とすることで、このように接続状態となったメモリセルに対して該ビット線対を経由し、当該半導体記憶装置の外部から書き込みアクセスあるいは読み出しアクセスするようにした半導体記憶装置において、前記書き込みアクセス時に、少なくとも該書き込みアクセスの対象となるメモリセルへの、その電源の供給を抑制する電源供給制御回路を備えたとを特徴とする半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-356418 出願人：三菱電機株式会社
特開昭58-122693
特開昭58-085993

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