特許

J-GLOBAL ID：200903020853583517

薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 三谷 康弘 ,  田仲 広久 ,  井窪 克昌 ,  森本 弘
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-082438
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283428
出願日： 1992年04月03日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】 イオン注入法を用いて工程を簡略化し、不良の発生を抑制して薄膜トランジスタの特性や信頼性を向上し、高精細で歩留まりの良い表示装置に適用する。【構成】 薄膜トランジスタ10は、基板11の上に形成されたゲート電極12、ゲート絶縁膜13b、半導体層24と、その半導体層24の両側に分離して形成されたコンタクト層16a、16bと、コンタクト層16a、16b及びゲート絶縁膜13bの一部を被覆し両側に分離して形成されたソース電極17並びにドレイン電極18とで構成される。製造方法は、基板11の上に順にゲート電極12、ゲート絶縁膜13b、半導体層24を形成し、これらの層の上に形成されたイオン注入用マスクをイオンを注入して剥離しチャネル保護膜15を形成する。

請求項（抜粋）：

基板の上に形成されたゲート電極を被覆するゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜の上に形成された半導体層と、該半導体層の両側にそれぞれ分離して形成されたコンタクト層と、該コンタクト層と該ゲート絶縁膜の一部を被覆し両側にそれぞれ分離して形成されたソース電極並びにドレイン電極とを具備する薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭58-021864
  
• 特開昭58-084289
  
• 特開平3-231473
  
• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-286789   出願人：川崎製鉄株式会社