特許
J-GLOBAL ID：200903020872899568
デュアル・エレメント磁気抵抗センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-028957
公開番号（公開出願番号）：特開平7-296339
出願日： 1995年02月17日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：
【要約】【目的】 高抵抗率の導電性スペーサ物質で分離された2つの磁気抵抗(MR)エレメントを有するデュアル・エレメントMRセンサを提供する。【構成】 上記MRエレメントの一方にそのトラック・エッジの両端で隣接する硬磁性体物質の層が、上記一方のMRエレメントを1つの縦方向にバイアスするために該MRエレメントのものと等しい磁化と厚さの積を持っている。交換バイアス層が、両MRエレメントの間の磁気状態の安定化を達成するために、他方のMRエレメントを逆の縦方向に交換結合によってバイアスする。交換バイアス層は上記他方のMRエレメントにそのトラック・エッジの両端で隣接し、上記他方のMRエレメントのものと等しい磁化と厚さの積を持つ。代替方法は、交換バイアス層が、上記他方のMRエレメントに上方または下方で連続的に接触するように1つのトラック・エッジから他のトラック・エッジに延びる。
請求項（抜粋）：
高抵抗率の導電性スペーサ層によって分離されている第1および第2の磁気抵抗エレメントと、上記第1の磁気抵抗エレメントのトラック・エッジの両端で上記第1の磁気抵抗エレメントと接し、上記第1の磁気抵抗エレメントの磁化と厚さの積と等しい磁化と厚さの積を持つ、上記第1の磁気抵抗エレメントを所定の長手方向にバイアスするための硬バイアス層と、上記第2の磁気抵抗エレメントに接触して設けられ、上記第2の磁気抵抗エレメントを交換結合によって、上記所定の長手方向と逆の長手方向にバイアスして、上記第1および第2の磁気抵抗エレメントの間の磁気状態を安定化させる交換バイアス層と、を含むデュアル・エレメント磁気抵抗センサ。
引用特許：
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